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NIR Testing Techniques for MEMS Devices
在半导体制造过程中,前期的全自动晶圆缺陷检测技术非常重要。因为在后端的生产流程中,通常会有多片晶圆粘合到一起,或者把晶圆粘合到不透明的材料上。因为半导体材料对可见光都是不透明的,所以很难用可见图像技术对粘合效果做表征或者检测粘合表面的污染。近红外检测技术是在半导体工业的质量监控一项有前途的新技术。本文重点介绍近红外成像检测技术在MEMS工业生产中发挥的重要性! -
Photoluminescence And Electroluminescence characteristics testing of InGaN/GaN Quantum Well
从上世纪90年代初开始,世界范围内掀起了研究高亮度LED的热潮,以它为基础的固体照明正在迅猛发展。因为高亮度LED采用双异质结构,要求材料具有良好的晶格匹配,这个要求对用于异质结LED的材料体系提出了严格的限制。 Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,拥有优良的光电性质,化学性质非常稳定,可在⾼高温、酸碱、辐射环境下使⽤用,并且禁带宽度大,因此在大功率的电子器件方面颇具吸引力,已引起了国内外众多研究者的兴趣。人们感兴趣的Ⅲ-Ⅴ族氮化物是AIN、GaN、InN及其合金,通过控制它们各自的组份,其禁带宽度可从InN的0.7eV到GaN的3.4eV直到AlN的6.2eV连续变化,覆盖了整个可见光区,并扩展到紫外范围,适合制备高亮度LED。 -
Study on Raman Spectroscopic of Cu2O Nanowires
氧化亚铜为一价铜的氧化物,是鲜红色粉末状固体,几乎不溶于水,在酸性溶液中化为二价铜。它是一种重要的P型半导体材料,禁带宽度仅为2.1eV,光电转换效率可达到18%。1998年氧化亚铜被发现可作为催化剂在阳光下将水分解成氢气和氧气,证明是一种极具前景的光催化氧化材料。现今,随着纳米材料的发展,不仅已经制备各种尺寸及形貌的氧化亚铜微纳米结构,还提出了多种形貌控制理论,如量子点、纳米线、纳米片、纳米球、多面体、空心结构等。纳米级的Cu2O还具有独特的光学和磁学性质,在光电转换、工业催化和气体传感器等方面也得到了广泛的应用。 -
Surface-Enhanced Raman Specscopy (SERS) Technologies for Rapid Analytics of Environmental Pollutions
随着社会与经济的发展,环境污染越来越成为困绕着人类健康和制约社会继续发展的严峻问题,多环芳烃类污染物,在环境中具有长期稳定性、可迁徙性以及生物富集性,能干扰生物内分泌系统,损坏生物的神经系统,潜在的致癌作用[1-3]。表面增强拉曼光谱(Surface enhanced Raman spectroscopy, SERS)作为一种强有力的原位分析技术,不仅可以像拉曼光谱一样能够提供分子结构的特征光谱,而且还可以极大地增强被测分子的拉曼信号,通常可以增强6个数量级以上,有时甚至可以达到14个数量级,从而达到单分子检测。文献研究表明表面增强拉曼光谱完全可以实现对特定环境污染物的高灵敏度定性和定量检测。过去受限于拉曼光谱仪的发展,表面增强拉曼光谱基本上只能作为一种实验室技术。随着激光器技术、光纤技术以及CCD检测技术的发展,拉曼光谱仪可以集成为一个小型、快速、简便的检测设备,进而使拉曼光谱仪应用于多环芳烃快速分析领域成为可能[4-11]。 -
Air-based Monitoring for Pollution Discharges from Ships on the Sea
尽管欧盟和美国的新法规要求航行在欧洲和美国沿海的船舶使用低硫航油,但由于执法难度大,违规风险小,在经济利益的驱动下,便宜的、高硫的燃料仍被许多轮船违法使用。然而,新技术的发展将改变这一现象。基于一对Andor紫外光谱仪构建的实时空中污染检测系统能够以每小时20艘的速度实时监控船舶污染。